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J-GLOBAL ID:200903096856343653

処理精度を増大させたレーザ焼結法、及びその方法に用いられる粒子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 中村 承平
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2004513010
Publication number (International publication number):2005536324
Application date: Jun. 16, 2003
Publication date: Dec. 02, 2005
Summary:
選択レーザ焼結のラピッドプロトタイピング法において、温度勾配が、個々の層内及びそれらの層間に生じ、少なくとも高品質の構成部品に対して許容できない、部品の変形をもたらす。本発明の目的は、造形された粒子塊内の温度をできるだけ均一にする選択レーザ焼結法を提供することにある。このため、約70°Cの最大軟化温度を有する少なくとも1つの材料を含む粒子が、用いられる。
Claim (excerpt):
-少なくとも1つの第1材料から形成されるコア1と、 -第2材料を用いる前記コア1の少なくとも部分的被膜2であって、該第2材料は、前記第1材料よりも低い軟化点を有する被膜2と を備える、選択レーザ焼結(SLS)に用いられる粒子において、 前記第2材料の前記軟化点は、約70°よりも低いことを特徴とする粒子。
IPC (5):
B01J2/00 ,  B22F3/105 ,  B22F3/16 ,  B29C67/00 ,  C23C24/08
FI (5):
B01J2/00 B ,  B22F3/105 ,  B22F3/16 ,  B29C67/00 ,  C23C24/08 Z
F-Term (25):
4F213AA19 ,  4F213WA22 ,  4F213WA25 ,  4F213WB01 ,  4F213WL04 ,  4F213WL15 ,  4F213WL22 ,  4F213WL25 ,  4F213WL26 ,  4F213WL92 ,  4G004BA00 ,  4K018BC21 ,  4K018CA44 ,  4K018EA51 ,  4K018EA60 ,  4K044AA01 ,  4K044AA13 ,  4K044AA16 ,  4K044BA10 ,  4K044BA21 ,  4K044BB01 ,  4K044BB10 ,  4K044CA24 ,  4K044CA29 ,  4K044CA44
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)
  • 独国特許出願公表第690 31 061 T2号明細書
  • 独国特許出願公開第101 08 612 A1号明細書
Cited by examiner (4)
  • 粉末微粒子を焼結して顆粒にする方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2000-288157   Applicant:フォセコ・インターナショナル・リミテッド
  • 特表平1-502890
  • 造粒体の製造方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平9-036662   Applicant:株式会社三国, 松下光宏
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