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J-GLOBAL ID：200903096861599712
りん化ひ化ガリウムエピタキシャルウエハ
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (1)：
長谷川 一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992149726
Publication number (International publication number)：1993343740
Application date： Jun. 09, 1992
Publication date： Dec. 24, 1993
Summary：
【要約】【目的】発光ダイオード等の素子製造の際のウエハの割れの少ないりん化ひ化ガリウムエピタキシャルウエハを提供することである。【構成】所望の混晶率を有するりん化ひ化ガリウム混晶率一定層中に混晶率の段差を設けることによって、りん化ひ化ガリウムエピタキシャルウエハに残留する応力を緩和する。
Claim (excerpt)：
りん化ガリウム単結晶基板上にりん化ひ化ガリウム混晶率変化層及びりん化ひ化ガリウム混晶率一定層をこの順に形成したりん化ひ化ガリウムエピタキシャルウエハにおいて、上記りん化ひ化ガリウム混晶率一定層中に、基板側の混晶率よりも表面側の混晶率が0.01〜0.05低くなるように混晶率の段差を形成したことを特徴とするウエハ。
IPC (2)：
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