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J-GLOBAL ID：200903096864204204

半導体基板ダイシング法

Inventor： 赤崎 博 ,  大塚 寛治
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991328553
Publication number (International publication number)：1993166926
Application date： Dec. 12, 1991
Publication date： Jul. 02, 1993
Summary：

【要約】【構成】裏面にメタライズ層2を有する半導体基板1のダイシング前にスクライブライン4部の前記裏面メタライズ層2を局所的に加熱し合金化する9かあるいは局所的に除去する半導体基板ダイシング法。【効果】ペレット裏面のダイシング終端部周辺に生じるマイクロクラック片が裏面メタライズ膜に支持されて残留することが無くなるので、メタライズを有するマイクロクラック片が後続工程に持ち込まれた後、離脱して電極間のショートを引起こす等の信頼度不良を防止できる。

Claim (excerpt)：

裏面にメタライズ層を有する半導体基板のダイシング前にスクライブライン部の前記裏面メタライズ層を局所的に加熱し、合金化することを特徴とする半導体基板ダイシング法。