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J-GLOBAL ID：200903096864437969

半導体装置の製造方法

Inventor：
河合 薫

About 河合 薫


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994068364
Publication number (International publication number)：1995283293
Application date： Apr. 06, 1994
Publication date： Oct. 27, 1995
Summary：
【要約】【目的】この発明は、製造工程の合理化及び半導体基板の大幅な薄型化を図る。【構成】半導体ウエハ22の表面上に第1の液体を塗布し、この第1の液体を凝固させることにより、半導体ウエハ22の表面上に保護膜26を形成する。次に、ワ-クプレ-ト27上に前記第1の液体より低い凝固点を有する第2の液体28a を塗布し、前記第2の液体28a と前記保護膜26とが接触するように半導体ウエハ22をワ-クプレ-ト27上に載置する。次に、第2の液体28a を凝固させることにより、ワ-クプレ-ト27上に半導体ウエハ22を固定膜28により固定する。次に、半導体ウエハ22の裏面を砥石29により研削した後、前記固定膜28を解凍することによりワ-クプレ-ト27から半導体ウエハ22を取り外す。従って、製造工程の合理化及び半導体基板の大幅な薄型化を図ることができる。
Claim (excerpt)：
半導体基板の表面上に液体を塗布する工程と、前記液体を凝固させることにより、前記半導体基板の表面上に保護膜を形成する工程と、を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4)：
H01L 21/68 ,  B23Q 3/08 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 21/301
FI (2)：
H01L 21/78 L ,  H01L 21/78 N
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
  • 特開昭63-034946
  • 特開昭62-219526
  • 特開昭63-256327
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Cited by examiner (4)
  • 特開昭63-034946
  • 特開昭62-219526
  • 特開昭63-256327
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