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J-GLOBAL ID：200903096892409539

半導体レーザ

Inventor： 渡辺 孝幸
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993267684
Publication number (International publication number)：1995122812
Application date： Oct. 27, 1993
Publication date： May. 12, 1995
Summary：

【要約】【目的】 多重量子井戸レーザの変調ドープ構造に関し, バリア層の不純物ドープ領域から井戸層へのキャリア注入効率を高め, しきい値電流の低減を図る。【構成】 多重量子井戸(MQW) レーザの変調ドープ構造において,バリア層の不純物ドープ領域と井戸層との間にノンドープのスペーサ層を有し,該バリア層のn型(p型)不純物ドープ領域と該スペーサ層との界面における伝導帯端(価電子帯端)のポテンシャルが, 該スペーサ層と該井戸層の界面における伝導帯端のポテンシャルに等しいか,もしくは大きく(小さく)なるように該スペーサ層の組成,厚さ及び該バリア層の不純物ドープ領域のドーピング濃度,厚さが決められている。

Claim (excerpt)：

多重量子井戸(MQW) レーザの変調ドープ構造において,バリア層の不純物ドープ領域と井戸層との間にノンドープのスペーサ層を有し,熱平衡状態でn型不純物をドーピングした場合の該バリア層の不純物ドープ領域の該スペーサ層との界面における伝導帯端のポテンシャルが, 該スペーサ層の該井戸層との界面における伝導帯端のポテンシャルに等しいか,もしくは大きくなるように,あるいは,p型不純物をドーピングした場合の該バリア層の不純物ドープ領域の該スペーサ層との界面における価電子帯端のポテンシャルが, スペーサ層の井戸層との界面における価電子帯帯端のポテンシャルに等しいか,もしくは小さくなるように,該スペーサ層の組成,厚さ及び該バリア層の不純物ドープ領域のドーピング濃度,厚さが決められていることを特徴とする半導体レーザ。