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J-GLOBAL ID：200903096897176656

半導体デバイス製造装置及び半導体デバイス製造方法

Inventor： 浅野 伸 ,  茂中 俊明 ,  田原 諭 ,  舩山 正宏 ,  後藤 崇之
Applicant, Patent owner： 三菱重工業株式会社
Agent (1)： 工藤 実 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001325630
Publication number (International publication number)：2003133288
Application date： Oct. 23, 2001
Publication date： May. 09, 2003
Summary：

【要約】【課題】 熱的なダメージを抑えながら、加工速度が大きい半導体デバイス製造装置を提供する。【解決手段】 本発明による半導体デバイス製造装置は、半導体デバイスが形成されるワーク(3)を保持するワーク保持機構(2)と、ワーク(3)に中性ラジカルビーム(4)を射出する、複数のラジカルガン(1)とを備えている。

Claim (excerpt)：

半導体デバイスが形成されるワークを保持するワーク保持機構と、前記ワークに中性ラジカルビームを射出する複数のラジカルガンとを備えた半導体デバイス製造装置。

IPC (2)：

H01L 21/3065 ,  H01L 31/04

FI (2)：

H01L 21/302 D ,  H01L 31/04 V

F-Term (21)：

5F004AA06 ,  5F004BA03 ,  5F004BA20 ,  5F004BB03 ,  5F004BB11 ,  5F004CA05 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA18 ,  5F004DA22 ,  5F004DA25 ,  5F004DB01 ,  5F004DB09 ,  5F004DB30 ,  5F004EA03 ,  5F004EA08 ,  5F051AA05 ,  5F051BA14 ,  5F051CA20 ,  5F051FA04 ,  5F051GA03