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J-GLOBAL ID：200903096902862008

配向性に優れた成形体または超伝導体の製造方法

Inventor： 仙名 保 ,  伊藤 満 ,  中村 哲朗
Applicant, Patent owner： 仙名 保 ,  伊藤 満 ,  中村 哲朗 ,  昭和電線電纜株式会社
Agent (1)： 守谷 一雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992329539
Publication number (International publication number)：1994172019
Application date： Dec. 09, 1992
Publication date： Jun. 21, 1994
Summary：

【要約】【目的】 配向性に優れた成形体または超伝導体を製造する。【構成】 分離仮焼法により作製した(2223)組成の仮焼結体を粗砕した後、0.05wt%の非イオン性界面活性剤を添加した有機溶媒中でボールミルを行いスラリー状とする。このスラリーを脱液して堆積させた後、乾燥し、次いで加圧した後、酸化性雰囲気中で焼成して焼結体を製造する。この焼結体の配向度fは0.94の値を示し、また、その結晶粒の厚さは、焼成による成長の結果、粒径16μm、厚さ1μmの値を示す。界面活性剤の濃度を0.005から0.05wt%に変えることにより、配向度は2.5倍に、また臨界電流密度は約7倍に向上する。

Claim (excerpt)：

層状構造を有する結晶体を、溶液中でその結晶構造を維持しながら層間で剥離粉砕して薄片状の微粒子を作製し、前記微粒子の所定量を層状に積層した後、この積層体に圧力を加え、次いで焼結することを特徴とする配向性に優れた成形体の製造方法。

IPC (6)：

C04B 35/00 ZAA ,  C01G 1/00 ,  C01G 3/00 ZAA ,  C01G 29/00 ZAA ,  H01B 12/06 ,  H01B 13/00 565