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J-GLOBAL ID：200903096906559075
半導体発光装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
,
Agent (1)：
樺山 亨 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992153864
Publication number (International publication number)：1993347429
Application date： Jun. 12, 1992
Publication date： Dec. 27, 1993
Summary：
【要約】【目的】光学素子等との光結合において高い光利用効率を得ることのできる半導体発光装置を提供する。【構成】本装置は、基板36の主面に少なくとも一層の半導体よりなる発光層34が形成された端面発光型発光ダイオード30からなる半導体発光装置において、端面発光型発光ダイオード30の光出力を取り出す面、すなわち光出射端面3120が、基板主面と垂直な方向から見て、光出射軸方向314 と+θ傾いた面、垂直な面、及び-θ傾いた面の3面で構成されていることを特徴とする。【効果】端面発光型発光ダイオードの光出射端面の形状を上記のように構成したことにより、発光ダイオードの発光層と平行な面でのビーム形状に指向性を持たせることができ、光学素子等との光結合において高い光利用効率を得ることができる発光装置が実現できる。
Claim (excerpt)：
基板主面に少なくとも一層の半導体よりなる発光層が形成された端面発光型発光ダイオードからなる半導体発光装置において、端面発光型発光ダイオードの光出力を取り出す面、すなわち、光出射端面が、基板主面と垂直な方向から見て、光出射軸方向と+θ、垂直、及び-θ傾いた面の3面で構成されていることを特徴とする半導体発光装置。
Patent cited by the Patent：
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