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J-GLOBAL ID：200903096908974975

半導体加速度センサとその製造方法

Inventor： 古田 一吉
Applicant, Patent owner： セイコー電子工業株式会社
Agent (1)： 林 敬之助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993165594
Publication number (International publication number)：1995022628
Application date： Jul. 05, 1993
Publication date： Jan. 24, 1995
Summary：

【要約】【目的】 従来のものに比べて、小型で高機能な半導体加速度センサとその製造方法を提供する。【構成】 半導体加速度センサにおいて、レバーと一方のストッパーが同一基板からなることを特徴とし、加速度を受けるおもりとしてシリコンのメサを用いず、金属薄膜をおもりとして有する構成とする。また、この半導体加速度センサの製造方法としては、SOIウエハの上層Si層をレバーとして形成できるように、耐エッチング性膜でレバーの部分をつつみこむ状態にしたのち、異方性エッチングを実施してビームを形成する。【効果】 シリコンメサを必要としないので、従来のものに比べて半分以下のサイズを達成できる。ストッパーとの位置合わせの回数が削減できるので、製造が簡便になるほか、位置ズレによる不良もなくなる。

Claim (excerpt)：

加速度を受けるおもり、前記おもりの受ける加速度によって歪を生じるレバー、前記おもりの変位を規制するストッパーからなる半導体加速度センサにおいて、少なくとも一方のストッパーとレバーとが同一基板からなることを特徴とする半導体加速度センサ。

IPC (2)：

H01L 29/84 ,  G01P 15/02