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J-GLOBAL ID：200903096913502135

レジストパターンの形成方法

Inventor： 重見 由里江 ,  羽入 勇
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 有我 軍一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994054282
Publication number (International publication number)：1995261406
Application date： Mar. 25, 1994
Publication date： Oct. 13, 1995
Summary：

【要約】【目的】 光の位相のずれ、逆転を利用して微細パターンを露光する際、位相シフトを用いた開口部の光強度を減少させることなく、しかも、パターン毎に条件出しを行うことなくサブピークを低減することができ、解像度の向上、処理時間の短縮化及びコストの低減化を実現することができる。【構成】 被処理基板11上にレジスト12を塗布する工程と、次いで、該レジスト12表面部分12aを難溶化処理する工程と、次いで、表面部分12aを難溶化処理した該レジスト12を、光の位相の逆転又はずれを利用したマスク1を用いて露光処理する工程と、次いで、露光処理した該レジスト12を現像処理してレジストパターン12bを形成する工程とを含む。

Claim (excerpt)：

被処理基板(11)上にレジスト(12)を塗布する工程と、次いで、該レジスト(12)表面部分(12a)を難溶化処理する工程と、次いで、表面部分(12a)を難溶化処理した該レジスト(12)を、光の位相の逆転又はずれを利用したマスク(1)を用いて露光処理する工程と、次いで、露光処理した該レジスト(12)を現像処理してレジストパターン(12b)を形成する工程とを含むことを特徴とするレジストパターンの形成方法。

IPC (4)：

G03F 7/26 ,  G03F 1/08 ,  G03F 7/38 501 ,  H01L 21/027

FI (3)：

H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 528 ,  H01L 21/30 565