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J-GLOBAL ID：200903096915412923

ドライエッチング装置

Inventor： 大倉 英一郎 ,  豊田 正人
Applicant, Patent owner： 菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社 ,  三菱電機株式会社
Agent (1)： 高田 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992272898
Publication number (International publication number)：1994124916
Application date： Oct. 12, 1992
Publication date： May. 06, 1994
Summary：

【要約】【目的】 ウエハ温度を所期通りに維持または任意の値に制御させる。【構成】 半導体ウエハ3を載置する基板ステージ2にウエハ温度を検出する温度検出部18、冷却ガスの圧力を検出する圧力検出部16を設け、エッチング処理中のウエハ温度、冷却ガス圧力をモニタリングし、その変化を制御部22を経由させて冷却ガスの圧力制御装置15に出力し、ウエハ温度を所期通りに維持または任意の値に制御させる。

Claim (excerpt)：

反応室のステージに載置された半導体ウエハをプラズマによりエッチング処理を行うドライエッチング装置において、前記ステージと前記半導体ウエハ間に導入された冷却ガスの圧力を測定する圧力検出手段と、前記半導体ウエハの温度を測定する温度検出手段と、前記ステージを冷却するために前記ステージと前記半導体ウエハ間へ導入する前記冷却ガスの圧力を制御する圧力制御手段と、前記検出圧力及び前記検出温度に基づいて前記半導体ウエハの温度を所定値に維持するように前記圧力制御手段を制御する主制御手段とを備えたことを特徴とするドライエッチング装置。

IPC (2)：

H01L 21/302 ,  H01L 21/68