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J-GLOBAL ID：200903096915902890
火炎センサ
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
北村 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996096385
Publication number (International publication number)：1997280945
Application date： Apr. 18, 1996
Publication date： Oct. 31, 1997
Summary：
【要約】【課題】 火炎のオン・オフの判定精度が高く、且つセンサ設置条件に対する自由度の高い、広い適用範囲を有する火炎センサを提供するためには、光導電型の半導体紫外線センサを用いて、火炎の発光波長範囲から太陽光や室内光といった雑音源となる光の波長範囲を除外した、概ね200nm乃至280nmの波長成分の紫外線を高効率、且つ高精度に検出する必要がある。【解決手段】 Alx Ga1-x N光導電体1よりなる火炎光吸収層1aとAlyGa1-y N光導電体1よりなる火炎光透過層1bが積層された2層構造を有し、前記2層構造の受光面8側に前記火炎光透過層1bが配置されてあり、前記火炎光吸収層1aの吸収スペクトルの長波長端が290nm近傍以下となるように前記火炎光吸収層1aのAlとGaの組成比xが設定されてあり、且つ、前記火炎光透過層1bのAlとGaの組成比yが前記火炎光吸収層1aの前記組成比xより大きく設定されてある。
Claim (excerpt)：
Alx Ga1-x N光導電体よりなる火炎光吸収層とAly Ga1-y N光導電体よりなる火炎光透過層が積層された2層構造を有し、前記2層構造の受光面側に前記火炎光透過層が配置されてあり、前記火炎光吸収層の吸収スペクトルの長波長端が290nm近傍以下となるように前記火炎光吸収層のAlとGaの組成比xが設定されてあり、且つ、前記火炎光透過層のAlとGaの組成比yが前記火炎光吸収層の前記組成比xより大きく設定されてある火炎センサ。
IPC (3)：
G01J 1/02
, G01J 1/42
, G08B 17/12
G01J 1/02 G
, G01J 1/02 J
, G01J 1/42 C
, G08B 17/12 A
