Pat
J-GLOBAL ID:200903096917555942

半導体装置及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 鈴木 敏明
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999339414
Publication number (International publication number):2001156091
Application date: Nov. 30, 1999
Publication date: Jun. 08, 2001
Summary:
【要約】【課題】 半田バンプ付き半導体装置を実装基板に実装する際に生ずる熱応力によって、半田バンプ部に熱疲労が発生し、やがて亀裂が発生して接続不良に至ることがあった。【解決手段】 半導体基板1のパッド2の領域のカレントフィルム4上に拡散防止金属膜6を形成し、その上に、内部にボイド8を形成した半田バンプ7を形成したものである。
Claim (excerpt):
半田バンプを有する半導体装置において、前記半田バンプ内にボイドを形成したことを特徴とする半導体装置。

Return to Previous Page