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J-GLOBAL ID：200903096926523131
窒化物半導体発光素子
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997286732
Publication number (International publication number)：1998084134
Application date： Dec. 12, 1995
Publication date： Mar. 31, 1998
Summary：
【要約】【課題】向上した発光出力を示す窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】InおよびGaを含有する窒化物半導体からなる活性層(6)の両側またはその一方に接してInおよびGaを含有する窒化物半導体からなるクラッド層(5、7)を形成する。さらに、屈折率の異なる2種類の窒化物半導体が2層以上積層された多層膜からなる反射層(44、55)を有する。
Claim (excerpt)：
インジウムとガリウムとを含む窒化物半導体よりなり、第1の面と第2の面とを有する活性層と、該活性層の第1の面側に設けられ、屈折率の異なる2種類の窒化物半導体が2層以上積層された多層膜からなる第1の反射層とを有し、該活性層の第1の面と該第1の反射層との間に該活性層の第1の面に接して活性層よりもバンドギャップエネルギーが大きく、かつインジウムとガリウムとを含むn型窒化物半導体よりなる第1のn型クラッド層を備えることを特徴とする窒化物半導体発光素子。
IPC (2)：
FI (2)：
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