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J-GLOBAL ID：200903096940064247

有機硅素重合体と半導体装置の製造方法

Inventor： 福山 俊一 ,  小林 倫子 ,  大倉 嘉之
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991331002
Publication number (International publication number)：1993163353
Application date： Dec. 16, 1991
Publication date： Jun. 29, 1993
Summary：

【要約】【目的】 有機硅素重合体とこれを用いた層間絶縁膜の製造方法に関し、耐熱性と平坦化性に優れた絶縁材料を提供することを目的とする。【構成】 次の一般式(1)で表され重量平均分子量が3,000 〜5,000,000 の重合体であって、該重合体中に含まれるシラノール基の水素原子が次の一般式(2) で表されるトリオルガノシリル基により置換されていることを特徴として有機硅素重合体を作り、これを用いて半導体集積回路の層間絶縁膜を形成するか、或いはこの有機硅素重合体にナフトキノンジアジドを添加して感光性耐熱樹脂組成物を作り、これを用いて半導体集積回路の層間絶縁膜を形成することを特徴として半導体装置の製造方法を構成する。[ RA SiO2/2(RB )1/2] n・・・・(1)但し、 RA はその20%以上がヒドロキシ置換のアリール基で、残りは低級アルキル基、RB はアルキレン基、n は10〜5,0000の整数、( RC )3Si- ・・・・(2)但し、 RC はエポキシ基,低級アルキル基またはアリール基を表し同一または異なっていてもよい。

Claim (excerpt)：

次の一般式(1)で表され重量平均分子量が3,000 〜5,000,000の重合体であって、該重合体中に含まれるシラノール基の水素原子が次の一般式(2) で表されるトリオルガノシリル基により置換されていることを特徴とする有機硅素重合体。[ RA SiO2/2(RB )1/2] n・・・・(1)但し、 RA はその20%以上がヒドロキシ置換のアリール基で、残りは低級アルキル基、RB はアルキレン基、n は10〜5,0000の整数、( RC )3Si- ・・・・(2)但し、 RC はエポキシ基,低級アルキル基またはアリール基を表し同一または異なっていてもよい。

IPC (4)：

C08G 77/38 NUF ,  C08K 5/28 ,  C08L 83/06 LRW ,  H01L 21/312