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J-GLOBAL ID:200903096943928536

エレクトロルミネッセンス物質および装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 大菅 義之
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2004563368
Publication number (International publication number):2006512755
Application date: Dec. 23, 2003
Publication date: Apr. 13, 2006
Summary:
改良されたエレクトロルミネッセンスデバイスが、第一のエレクトロルミネッセンス金属錯体もしくは有機金属錯体の層、ならびに、第二の金属錯体もしくは有機金属錯体の層を持ち、前記の第二のエレクトロルミネッセンス金属錯体もしくは有機金属錯体中の金属のバンドギャップが、前記の第一のエレクトロルミネッセンス金属錯体もしくは有機金属錯体中の金属のバンドギャップよりも大きいことを特徴とする。
Claim (excerpt):
(i) 第一電極、(ii) 第一エレクトロルミネッセンス金属錯体もしくは有機金属錯体の層、(iii) 第二金属錯体もしくは有機金属錯体の層、および(iv) 第二電極を含むエレクトロルミネッセンスデバイスであって、前記第二エレクトロルミネッセンス金属錯体もしくは有機金属錯体のバンドギャップが、前記第一エレクトロルミネッセンス金属錯体もしくは有機金属錯体のバンドギャップよりも大きいことを特徴とする、エレクトロルミネッセンスデバイス。
IPC (4):
H01L 51/50 ,  C09K 11/06 ,  H05B 33/26 ,  H05B 33/28
FI (7):
H05B33/14 B ,  C09K11/06 660 ,  C09K11/06 690 ,  H05B33/22 B ,  H05B33/22 D ,  H05B33/26 Z ,  H05B33/28
F-Term (9):
3K007AB03 ,  3K007AB04 ,  3K007AB18 ,  3K007CA01 ,  3K007CB00 ,  3K007CB01 ,  3K007DB03 ,  3K007DC04 ,  3K007FA01
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (8)
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