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J-GLOBAL ID：200903096945053855

光半導体装置

Inventor： 峯尾 尚之 ,  古川 量三
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 清水 守 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995249248
Publication number (International publication number)：1997090177
Application date： Sep. 27, 1995
Publication date： Apr. 04, 1997
Summary：

【要約】【課題】 光ファイバとの光結合を簡単な構成で達成できるとともに、コンパクトなモジュール化を図る。【解決手段】 光半導体装置において、異方性エッチングにより正方形の大径開口部13-1と小径開口部13-2とこれらの開口部間に形成される結晶方位により定まる一定の角度を持つ側面13Aを有する貫通穴13と、この貫通穴13に連通するV溝12が形成されるシリコン基板11と、貫通穴13の小径開口部13-2に固定される集光用レンズ16を一体形成した裏面入射型PIN-PD15と、斜め研磨した端面18を有する光ファイバ17をV溝12に敷設し、斜め研磨した端面18を集光用レンズ16に対向させるように、光ファイバ17をV溝12に固定する。

Claim (excerpt)：

(a)異方性エッチングにより正方形の大径開口部と小径開口部とこれらの開口部間に形成される結晶方位により定まる一定の角度を持つ側面を有する貫通穴と該貫通穴に連通するV溝が形成されるシリコン基板と、(b)前記貫通穴の小径開口部に固定される集光用レンズを一体形成した裏面入射型PIN-PDと、(c)斜め研磨した端面を有する光ファイバを前記V溝に敷設し、前記斜め研磨した端面を前記集光用レンズに対向させるように、前記光ファイバを前記V溝に固定するようにしたことを特徴とする光半導体装置。

IPC (4)：

G02B 6/42 ,  H01L 31/0232 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (4)：

G02B 6/42 ,  H01L 33/00 H ,  H01S 3/18 ,  H01L 31/02 D