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J-GLOBAL ID：200903096957763289
半導体導波路型受光器
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
光石 俊郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996045775
Publication number (International publication number)：1997246588
Application date： Mar. 04, 1996
Publication date： Sep. 19, 1997
Summary：
【要約】【課題】 ハイメサ構造のスラブ型導波路にて暗電流を半導体導波路型受光器を提供する。【解決手段】 ハイメサ構造側面より所望深さの拡散領域106,206,306を形成してpn接合をハイメサ側面に沿って形成し、表面凖位を低下させ暗電流を抑えるようにした。
Claim (excerpt)：
第一導電型を有する第一半導体層と、この第一半導体層よりも光の吸収端波長が大きく屈折率の大きい第二導電型を有する第二半導体層と、この第二半導体層よりも光の吸収端波長が小さく屈折率の小さい第二導電型を有する第三半導体層と、が順に積層されたハイメサ構造を有し、上記第二半導体層及び第三半導体層のハイメサ構造側面より所望深さに不純物を拡散して第一導電型の拡散領域を形成した、半導体導波路型受光器。
Patent cited by the Patent：
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