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J-GLOBAL ID:200903096961095045

半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 小島 隆司 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998152071
Publication number (International publication number):1999323089
Application date: May. 15, 1998
Publication date: Nov. 26, 1999
Summary:
【要約】 (修正有)【解決手段】 (A)式(1)のエポキシ樹脂、(B)式(2)のフェノール樹脂硬化剤、(C)平均組成式R3aR4bSi(OR5)c(OH)dO(4-a-b-c-d)/2(R3はフェニル基、R4はHまたはC1〜C6の一価炭化水素基、R5はC1〜C4の一価炭化水素基であり、0.5≦a≦2、0≦b≦1、0.42≦c≦2.5、0≦d≦0.35、かつ0.92≦a+b+c+d≦2.8)で表されるフェニル基及びオルガノオキシ基含有オルガノシロキサン、(D)無機充填剤を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物。(R1、R2はH、C1〜C4のアルキル基及びフェニル基、n,m=0〜10。)【効果】 成形性が良好で、耐リフロークラック性及び耐湿性に優れ、高い難燃性を有する硬化物を与え、しかもハロゲン化エポキシ樹脂、三酸化アンチモンを含有しないので、人体・環境に対する悪影響もない。
Claim (excerpt):
(A)下記一般式(1)で表されるエポキシ樹脂【化1】(但し、式中のR1は水素原子、炭素数1〜4のアルキル基及びフェニル基から選択される同一もしくは異なる原子又は基であり、n=0〜10である。)(B)下記一般式(2)で表されるフェノール樹脂硬化剤【化2】(但し、式中のR2は水素原子、炭素数1〜4のアルキル基及びフェニル基から選択される同一もしくは異なる原子又は基であり、m=0〜10である。)(C)下記平均組成式(3)で表されるフェニル基及びオルガノオキシ基含有オルガノシロキサン R3aR4bSi(OR5)c(OH)dO(4-a-b-c-d)/2 (3)(但し、式中のR3はフェニル基、R4は炭素数1〜6の一価炭化水素基及び水素原子から選ばれる基、R5は炭素数1〜4の一価炭化水素基であり、a,b,c,dはそれぞれ0.5≦a≦2、0≦b≦1、0.42≦c≦2.5、0≦d≦0.35、かつ0.92≦a+b+c+d≦2.8の範囲の数である。)(D)無機充填剤を含有してなることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
IPC (5):
C08L 63/00 ,  C08G 59/62 ,  C08L 83/04 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31
FI (4):
C08L 63/00 B ,  C08G 59/62 ,  C08L 83/04 ,  H01L 23/30 R
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (5)
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