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J-GLOBAL ID：200903096962265670

化合物半導体結晶成長方法,及び化合物半導体装置

Inventor： 竹見 政義 ,  木村 達也
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995105353
Publication number (International publication number)：1996306624
Application date： Apr. 28, 1995
Publication date： Nov. 22, 1996
Summary：

【要約】【目的】 化合物半導体装置の製造方法において、結晶面に依存することなく任意の方向に制御性よく半導体メサ構造を形成するとともに、メサ上面への埋込成長層の回り込み(オーバーグロウス)を防止する。【構成】 活性層となる半導体積層構造を有し、面方位が(001)のInPウエハ6に対して、所定形状にパターニングされたマスク10を設け、ドライプロセスにて〔110〕方向にメサ構造6aを形成し、該ウエハ6を高速回転可能なサセプタ6に載置して埋込成長を行い、ウエハ6上で非常に薄い停滞層を形成し、実質的なV/III (〔PH3 〕/〔TMI〕)比を減少させ、V族安定化面である(111)B面上への成長を抑制し、マスク10上へ覆い被さるような成長を抑制する。

Claim (excerpt)：

化合物半導体結晶成長方法において、活性層となる半導体積層構造を有するウエハを、所定形状にパターニングされたマスクを用いてドライエッチングして、上記マスク形状に応じた半導体メサストライプを形成する工程と、上記ウエハを載置したサセプタを所定回転数以上の高速で回転しながら該サセプタ上に各原料ガスを供給して、上記ウエハ上に薄い停滞層を形成することにより上記ウエハの(111)B面への結晶成長を選択的に抑制しつつ、上記半導体メサ構造の両側に埋込成長層を形成する工程とを備えたことを特徴とする化合物半導体結晶成長方法。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H01S 3/18

FI (3)：

H01L 21/205 ,  H01S 3/18 ,  H01L 21/302 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平1-179486
  
• 特開平1-189187
  
• 特開平3-270126
  
• 特開平2-279589