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J-GLOBAL ID:200903096970757565

電子放出素子の製造方法、及び表示装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 船橋 國則
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002214836
Publication number (International publication number):2004055484
Application date: Jul. 24, 2002
Publication date: Feb. 19, 2004
Summary:
【課題】カーボンナノチューブなどの炭素系針状物質を用いてエミッタを形成する場合に、炭素系針状物質の絡み合いや配向性の不均一によって高い発光効率が得られないことがある。【解決手段】電子放出素子の製造方法として、絶縁基板3の一面上にカソード電極層4、絶縁層5およびゲート電極層6を順に積層する工程と、絶縁基板3上にカソード電極層4を部分的に露出する状態でゲートホール7を形成する工程と、ゲートホール7内のカソード電極層4上に複数の炭素系針状物質4によってエミッタ8を形成する工程と、絶縁基板3の裏面に電極層13を形成する工程と、高圧電源14を用いてカソード電極層4と電極層13の間に電圧を印加するとともに、ゲート電極層6にカソード電極層4と同じ電圧を印加することにより、絶縁基板3に対して複数の炭素系針状物質9をほぼ垂直に配向させる工程とを有する。【選択図】 図6
Claim (excerpt):
絶縁基板の一面上にカソード電極層、絶縁層およびゲート電極層を順に積層する第1工程と、 前記絶縁基板上に前記カソード電極層を部分的に露出する状態でゲートホールを形成する第2工程と、 前記ゲートホール内の前記カソード電極層上に複数の炭素系針状物質によってエミッタを形成する第3工程と、 前記カソード電極層に電圧を印加することにより、前記絶縁基板に対して前記複数の炭素系針状物質をほぼ垂直に配向させる第4工程と を含むことを特徴とする電子放出素子の製造方法。
IPC (2):
H01J9/02 ,  H01J31/12
FI (2):
H01J9/02 B ,  H01J31/12 C
F-Term (19):
5C036EE01 ,  5C036EE14 ,  5C036EE15 ,  5C036EF01 ,  5C036EF06 ,  5C036EF09 ,  5C036EG12 ,  5C036EH04 ,  5C127AA01 ,  5C127BA13 ,  5C127BA15 ,  5C127BB07 ,  5C127CC03 ,  5C127DD70 ,  5C127EE02 ,  5C127EE03 ,  5C127EE04 ,  5C127EE15 ,  5C127EE17

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