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J-GLOBAL ID：200903096970948018
太陽電池およびその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
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Agent (1)：
三品 岩男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994055894
Publication number (International publication number)：1995263735
Application date： Mar. 25, 1994
Publication date： Oct. 13, 1995
Summary：
【要約】【目的】CIS層の蒸着過程で生じるCISとn型窓層の構成成分との相互拡散を抑制することにより、高い変換効率を実現可能なスーパーストレート型の太陽電池およびその製造方法を提供する。【構成】ソーダライムガラス10基板上に透明導電膜としてのZnO:Al20を形成し、n型窓層としてCdS膜30を溶液成長により形成して、その後、基板温度450°Cで、p型光吸収層としてCIS膜40を真空蒸着して、最後に裏面電極としてのAu膜50を形成するものであり、この構成により、CIS層の成膜過程で生じるCISとn型窓層の構成成分との相互拡散を抑制する。
Claim (excerpt)：
透明導電膜と、n型窓層と、セレン化銅インジウム系p型光吸収層と、裏面電極とを、基板上に順次積層したスーパーストレート型の太陽電池の製造方法において、基板上に形成された透明導電膜上に、溶液成長法を用いて、n型窓層として半導体膜を形成することを特徴とする太陽電池の製造方法。
FI (2)：
H01L 31/04 E
, H01L 31/04 H
