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J-GLOBAL ID：200903096975473824

半導体装置

Inventor：
鳥羽 進

About 鳥羽 進


Applicant, Patent owner：
富士電機株式会社

About 富士電機株式会社


Agent (1)： 篠部 正治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999225538
Publication number (International publication number)：2001053222
Application date： Aug. 09, 1999
Publication date： Feb. 23, 2001
Summary：
【要約】【課題】外部導出用の主回路端子について、軽量化,直材費の低減化と併せ、該端子に内部接続するアルミニウムワイヤとのボンディング性の信頼性向上を図る。【解決手段】パワー半導体素子2aを含む回路組立体2を収容した外囲樹脂ケース1の上面周域に主回路端子を引出し、ケース内で前記主回路端子と回路組立体との間をアルミニウムのボンディングワイヤ8で内部接続した半導体装置において、主回路端子を、銅材に比べて軽量,安価で、かつアルミワイヤとのボンディング性に優れたアルミニウムを素材としたアルミ製端子4Aとし、かつ該主回路端子の少なくとも外部導出部にニッケルめっき4A-1をを施す。
Claim (excerpt)：
パワー半導体素子を含む回路組立体を収容した外囲樹脂ケースの上面周域に主回路端子を引出し、ケース内で前記主回路端子と回路組立体との間をワイヤボンディング,もしくは半田付けして内部接続した半導体装置において、主回路端子をアルミニウム製としたことを特徴とする半導体装置。
IPC (3)：
H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 23/28
FI (2)：
H01L 25/04 C ,  H01L 23/28 K
F-Term (9)：
4M109AA01 ,  4M109BA04 ,  4M109CA02 ,  4M109DB02 ,  4M109DB10 ,  4M109EE08 ,  4M109GA02 ,  4M109GA05 ,  4M109GA10
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)
  • インバータ装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-002538   Applicant：株式会社日立製作所, 日立京葉エンジニアリング株式会社
  • 特開昭60-097651

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