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J-GLOBAL ID：200903096978000595

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子

Inventor： 幡 俊雄 ,  山本 健作 ,  森本 泰司
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 佐々木 晴康 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000025920
Publication number (International publication number)：2001217456
Application date： Feb. 03, 2000
Publication date： Aug. 10, 2001
Summary：

【要約】【課題】 p型電極の周囲または基板裏面及び側面に形成されたn型電極を有する窒化ガリムウ系化合物半導体発光素子において、外部発光効率を向上させた発光素子を得ることを目的とする。【解決手段】 p型電極と同一面上の周囲または基板裏面及び側面に形成されたn型電極が、透光性でありさらにオーミック接触である金属薄膜層または酸化物半導体層、それらの積層体からなる構成を有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。

Claim (excerpt)：

基板とn型電極と活性層を含む窒化ガリウム系化合物半導体積層構造とp型電極を有し、p型電極はp型透光性電極とp型用パッド電極を有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、n型電極はn型透光性電極を含むことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01S 5/323

FI (2)：

H01L 33/00 C ,  H01S 5/323

F-Term (35)：

5F041AA03 ,  5F041AA05 ,  5F041AA24 ,  5F041AA43 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA37 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA76 ,  5F041CA82 ,  5F041CA84 ,  5F041CA85 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041CA98 ,  5F041DA02 ,  5F041DA07 ,  5F041DA18 ,  5F073CA17 ,  5F073CB02 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB22 ,  5F073CB23 ,  5F073DA05 ,  5F073DA24 ,  5F073DA30 ,  5F073EA07 ,  5F073EA29 ,  5F073FA22 ,  5F073FA27