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J-GLOBAL ID：200903096978684427

半導体集積回路装置およびその製造方法

Inventor： 青木 英雄
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 筒井 大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995043742
Publication number (International publication number)：1996241893
Application date： Mar. 03, 1995
Publication date： Sep. 17, 1996
Summary：

【要約】【目的】 信頼度の高い配線膜を備えている半導体集積回路装置と、それを容易に製造できる製造技術を提供する。【構成】 複数の半導体素子が形成されている基体9の上に絶縁膜10を形成した後、絶縁膜10の表面の選択的な領域に溝12を形成する工程と、溝12を有する絶縁膜10の上に形成された配線膜13における溝12に埋め込まれている領域の表面の一部にフォトレジスト膜14を形成した後、フォトレジスト膜14をエッチング用マスクとして配線膜13の表面が露出している領域を絶縁膜10の表面が露出するまでエッチングすることにより、フォトレジスト膜14の下面に柱状のピラー13bを形成すると共に溝12に埋め込まれた形状の配線膜13aを形成する工程とを有するものとする。

Claim (excerpt)：

複数の半導体素子が設けられている基体の上の配線膜と、前記配線膜の表面の選択的な領域に設けられているピラーとを有し、前記配線膜および前記ピラーは同一工程により形成されているものであることを特徴とする半導体集積回路装置。