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J-GLOBAL ID：200903096981233967

半導体製造装置の圧力制御方法

Inventor： 岡井 正和 ,  幾原 祥二 ,  近藤 英明 ,  玉井 健二
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  日立テクノエンジニアリング株式会社
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993020986
Publication number (International publication number)：1994236857
Application date： Feb. 09, 1993
Publication date： Aug. 23, 1994
Summary：

【要約】【目的】設定圧力が低い場合でも、真空容器内の圧力を設定圧力に、短時間で到達できる圧力制御方法を提供する。【構成】可変バルブ7を制御するPID(比例+積分+微分)制御方法に、設定圧力に反比例する倍率を積算して、低い設定圧力でも可変バルブ7の開度を大きくして真空容器1内の圧力を逃げやすくすることにより、低い設定圧力でも短時間で圧力制御ができる。

Claim (excerpt)：

真空容器内の圧力と設定圧力とを比較して可変コンダクタンスバルブの開度を制御するPID制御方法において、PID制御則で得られた可変コンダクタンスバルブの開度変化量に、設定圧力に応じた倍率を積算し、積算結果を可変コンダクタンスバルブの開度変化量とすることを特徴とする半導体製造装置の圧力制御方法。

IPC (3)：

H01L 21/302 ,  C23C 14/54 ,  H01L 21/205