Pat

J-GLOBAL ID：200903096985196640

半導体装置の製造方法

Inventor： 宮下 守也 ,  佐俣 秀一
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 三好 秀和 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998088942
Publication number (International publication number)：1999288942
Application date： Apr. 01, 1998
Publication date： Oct. 19, 1999
Summary：

【要約】【課題】 半導体基板表面および表層の結晶欠陥、金属不純物を低減することができる半導体装置の製造方法を提供するである。【解決手段】 チョクラルスキー法で育成され、B(ボロン)を高濃度にドープすることで0.1Ωcm以下の低い抵抗率が実現されたp型シリコン単結晶基板に対して1000°C以上の温度で、かつ水素雰囲気またはアルゴン雰囲気の炉内で熱処理を施すことにより、p型シリコン単結晶基板内のCOP密度を低減する。また、p型シリコン単結晶基板表面および表層のBMD密度を低くする。p型シリコン単結晶基板内部のBMD密度を高くする。

Claim (excerpt)：

0.1Ωcm以下の抵抗率を有するp型半導体基板を1000°C以上の温度で熱処理することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/322 ,  H01L 21/324

FI (2)：

H01L 21/322 Y ,  H01L 21/324 X