半導体デバイスを製造するための方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：岡部正夫 (外11名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999167598
Publication number (International publication number)：2000106343
Application date： Jun. 15, 1999
Publication date： Apr. 11, 2000
Summary：

【要約】【課題】本発明は表面が平坦でない基板(10、20)から半導体デバイスを形成するための方法である。【解決手段】基板とホトレジスト層(16)との間に反射防止のコーティング(17、26)が形成され、ホトレジスト層の露光中に基板の表面における一様でない反射によって生じる問題を緩和する。UVおよびi線露光で使うための3層および2層のスタックが記述されている。

Claim (excerpt)：

半導体デバイスを製造するための方法であって、半導体基板(10、20)の平坦でない表面上に反射防止のコーティング(17、26)を形成し、前記反射防止のコーティングはシリコン対酸化物の比が異なっていて、屈折率が異なり、そして消光係数が異なっているシリコン含有酸化物の少なくとも2つの層を含み、前記基板に隣接している酸化物の第1の層(13、23)の消光係数は0.7〜1.9の範囲内にあり、第2の酸化物層(15、24)の屈折率は約1.7〜2.0の範囲内にあるような、反射防止のコーティングを形成するステップと、エネルギー・センシティブな材料の層(16)をコーティングの上に形成するステップと、前記エネルギー・センシティブな層の中にパターン化されたイメージを導入するために、前記エネルギー・センシティブな層を放射線に対して露光するステップとを含む方法。

IPC (3)：

H01L 21/027 , G03F 7/11 503 , H01L 29/78

FI (3)：

H01L 21/30 574 , G03F 7/11 503 , H01L 29/78 301 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

パターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-031683 Applicant：株式会社日立製作所
反射防止層を備えた半導体装置を製作する方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-093676 Applicant：モトローラ・インコーポレイテッド
特開平2-244153

Return to Previous Page