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J-GLOBAL ID：200903097018287705

レジストパターン形成方法

Inventor： 伊藤 直人 ,  池田 伸生 ,  大橋 幸一 ,  山口 辰夫
Applicant, Patent owner： 日本石油化学株式会社
Agent (1)： 前島 肇
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991157658
Publication number (International publication number)：1993119483
Application date： May. 31, 1991
Publication date： May. 18, 1993
Summary：

【要約】【目的】 特定の電着フォトレジストを用い、適正な現像時間により、低露光量で微細なレジストパターンを形成する方法を提供する。【構成】 酸価が 80〜400mg-KOH/g の範囲にある水溶性または水分散性の特定樹脂を主成分とするアニオン型光硬化性電着塗料を用いて、写真法によりレジストパターンを形成するに際し、 濃度0.5〜5%の重炭酸ソーダ水溶液で現像し、次いで全硬度が15ppm 以下の脱イオン水で洗浄する。

Claim (excerpt)：

酸価が80〜400mg-KOH/gの範囲にある水溶性または水分散性樹脂を主成分とするアニオン型光硬化性電着塗料を用いて、写真法によりレジストパターンを形成するに際し、 濃度0.5〜5%の重炭酸ソーダ水溶液で現像し、 次いで全硬度(JIS K0101による)が15ppm 以下の脱イオン水で洗浄することを特徴とするレジストパターン形成方法。

IPC (2)：

G03F 7/32 ,  G03F 7/32 501