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J-GLOBAL ID：200903097020742398

半導体装置製造用フォトマスク

Inventor： 和田 典久
Applicant, Patent owner： 日鉄セミコンダクター株式会社
Agent (1)： 志賀 正武 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994201123
Publication number (International publication number)：1996064502
Application date： Aug. 25, 1994
Publication date： Mar. 08, 1996
Summary：

【要約】【目的】 パターン消失、ショート、パーティクル発生等の不良を防止することで製品の歩留向上、品質向上を図ることのできる半導体装置製造用フォトマスクを提供する。【構成】 デバイスパターン20、21が形成された実デバイス領域17と、スクライブパターン22、23が形成されたスクライブ領域18との間に、パターンが何も形成されない空白領域19が設けられ、この空白領域19の幅Wが、露光装置の持つステップ・アンド・リピート方式による露光時の重ね合わせずれ量と当該の半導体装置製造プロセスにおける最小加工寸法との和よりも大きくなるように設定されている。

Claim (excerpt)：

デバイスパターンが形成された実デバイス領域の周囲に、スクライブパターンが形成され半導体装置組立時にダイシングを行なうためのスクライブ領域が設けられた構成とされるとともに、ステップ・アンド・リピート方式により隣接するチップ間で前記スクライブ領域同士を重ね合わせるように露光を行なうための半導体装置製造用フォトマスクにおいて、前記実デバイス領域と前記スクライブ領域との間にパターンが何も形成されない空白領域が設けられ、この空白領域の幅が、露光装置の持つステップ・アンド・リピート方式による露光時の重ね合わせずれ量よりも大きくなるように設定されていることを特徴とする半導体装置製造用フォトマスク。

IPC (3)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/08 ,  H01L 21/301

FI (2)：

H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/78 L