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J-GLOBAL ID：200903097025679511

半導体レーザ装置及びその製造方法

Inventor： 中尾 正史 ,  岡安 雅信 ,  湯田 正宏 ,  永沼 充
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 光石 俊郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993066526
Publication number (International publication number)：1994283802
Application date： Mar. 25, 1993
Publication date： Oct. 07, 1994
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 非平坦基板上への結晶成長を利用して、広帯域な発光特性をもち、高密度に集積化された、同一の出射面から発光するレーザ光源を実現することを主な目的としている。【構成】 半導体上にあらかじめ形成するリッジ4の幅及び隣接するリッジとの間隔(溝幅)、及びリッジ4の高さを所定の範囲に設定し、有機金属気相成長(MOVPE)法により活性層を歪多重量子井戸(MQW)構造からなる半導体多層膜を形成するものである。

Claim (excerpt)：

半導体基板に形成された幅1〜10μmの2つの溝の間にできる幅1〜3μm、高さ1〜3μmのリッジ上に形成された半導体多層膜の発光特性が変化することを利用した光素子において、キャビティ方向に数種類の異なった結晶を成長し、それに合わせた回折格子を形成することによって、同一出射面から複数の波長のレーザ光放射することを特徴とする半導体レーザ装置。