低誘電率材料およびCVDによる処理方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：石田敬 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002149738
Publication number (International publication number)：2003007699
Application date： May. 23, 2002
Publication date： Jan. 10, 2003
Summary：

【要約】【課題】低い誘電率および改良された機械的性質、熱的安定性および耐薬品性を有する薄膜材料を提供する。【解決手段】好適な膜は式SivOwCxHyFz(v+w+x+y+z=100%、vは10〜35原子%、wは10〜65原子%、yは10〜50原子%、xは2〜30原子%、およびzは0.1〜15原子%)で表わされ、実質的にフッ素は炭素に結合されていない。CVD法は、(a)真空チャンバ内に基板を用意すること;(b)フッ素を供給するガス、酸素を供給するガス、ならびにオルガノシランおよびオルガノシロキサンからなる群より選ばれる少なくとも1つの前駆体ガスを含むガス状試薬を真空チャンバに導入すること;ならびに(c)該チャンバ内のガス状試薬にエネルギーを加えてガス状試薬の反応を引き起こさせ、そして基板上に膜を形成させること、を含む。

Claim (excerpt)：

式SivOwCxHyFz(v+w+x+y+z=100%、vは10〜35原子%、wは10〜65原子%、yは10〜50原子%、xは2〜30原子%、およびzは0.1〜15原子%)で表わされ、実質的にフッ素は炭素に結合されていない、膜。

IPC (2)：

H01L 21/316 , C23C 16/42

FI (2)：

H01L 21/316 X , C23C 16/42

F-Term (23)：

4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030BA29 , 4K030BA35 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030FA03 , 4K030FA04 , 4K030FA10 , 4K030JA09 , 4K030JA12 , 4K030JA16 , 4K030LA02 , 4K030LA15 , 5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BC04 , 5F058BC20 , 5F058BF07 , 5F058BF22 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BJ02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

フッ素含有シリコーン樹脂およびその製造方法、フッ素含有シリコーン樹脂組成物、フッ素含有塗布ガラス膜の形成方法および該膜のパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-342248 Applicant：沖電気工業株式会社

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