Pat
J-GLOBAL ID：200903097037311641
半導体用有機絶縁膜材料及び製造方法
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999371775
Publication number (International publication number)：2000248077
Application date： Dec. 27, 1999
Publication date： Sep. 12, 2000
Summary：
【要約】【課題】 本発明は電気特性、熱特性、低吸水性に優れた有機絶縁膜材料及び製造方法を提供する事を目的とする。【解決手段】 一般式(1)で表されるポリベンゾオキサゾール樹脂層が微細孔を有してなることを特徴とする有機絶縁膜材料。【化1】(但し、一般式(1)中のnは2〜1000までの整数を示す。Xは4価及びYは2価の有機基を表す。)
Claim (excerpt)：
一般式(1)で表される構造を有するポリベンゾオキサゾール樹脂層が微細孔を有してなることを特徴とする半導体用有機絶縁膜材料。【化1】(但し、一般式(1)中のnは2〜1000までの整数を示す。Xは4価及びYは2価の有機基を表す。)
IPC (5)：
C08J 5/18
, C08G 73/22
, H01L 21/312
, C09D 5/24
, C09D179/04
C08J 5/18
, C08G 73/22
, H01L 21/312 A
, C09D 5/24
, C09D179/04 B
