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J-GLOBAL ID：200903097042143153
プラズマエッチング装置およびプラズマエッチング方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996090972
Publication number (International publication number)：1997283494
Application date： Apr. 12, 1996
Publication date： Oct. 31, 1997
Summary：
【要約】【課題】 プラズマ中のフッ素ラジカル濃度が制御できるプラズマエッチング装置およびこれを用いた酸化シリコン系材料層の高選択比プラズマエッチング方法を提供する。【解決手段】 エッチングチャンバ18内壁面に高純度シリコン等のシリコン材料層21を配設し、プラズマ中の過剰なフッ素ラジカルをスカベンジする。シリコン材料層21の加熱手段22や、バイアス印加手段を付加してもよい。【効果】 CO等の特殊ガスを用いることなく、プラズマ中のC/F比を任意に制御できる。したがって、対窒化シリコン系材料層等の高選択比エッチングが可能となる。このため、窒化シリコン系材料層をエッチングストッパとするセルフアラインコンタクトホールの開口を信頼性高く施すことができる。
Claim (excerpt)：
エッチングチャンバ内壁面の少なくとも一部に、プラズマとの接触が可能なごとくシリコン材料層を配設したことを特徴とするプラズマエッチング装置。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 21/302 A
, C23F 4/00 A
