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J-GLOBAL ID：200903097059463895
炭化ケイ素の結晶成長方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
福島 祥人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995050721
Publication number (International publication number)：1996245299
Application date： Mar. 10, 1995
Publication date： Sep. 24, 1996
Summary：
【要約】【目的】 貫通欠陥が低減された炭化ケイ素単結晶の成長方法を提供することである。【構成】 るつぼ22内の上面または底面の中心から一方向に偏った位置に保持台23を配置することにより、保持台23の一方の縁部Xの温度を対向する縁部Yに比べて相対的に低く設定する。それにより、保持台23上に設置される種結晶基板20の一方の縁部xから対向する縁部yに渡って単調増加する温度勾配を設け、ステップ成長を主体とする成長機構により種結晶基板20上にSiC単結晶を成長させる。
Claim (excerpt)：
炭化ケイ素原材料を昇華させて種結晶基板上に炭化ケイ素単結晶を成長させる方法において、前記種結晶基板上にステップ成長を主体とする成長機構を用いて炭化ケイ素単結晶を成長させることを特徴とする炭化ケイ素単結晶の成長方法。
IPC (2)：
FI (2)：
C30B 29/36 A
, C30B 23/00
