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J-GLOBAL ID:200903097061652964
透明導電性積層体
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995216091
Publication number (International publication number):1997057892
Application date: Aug. 24, 1995
Publication date: Mar. 04, 1997
Summary:
【要約】【解決手段】 透明高分子基体(A)10の一方の主面に、少なくとも、金属薄膜層(B)20と、スズの含有量をインジウムに対して10〜50重量%としたインジウム・スズ酸化物からなる透明導電層(C)30と、をABCなる構成で形成した透明導電性積層体。【効果】 電気抵抗が低く、可視光透過率が高く、さらに耐酸性にも優れた透明導電性積層体を提供することができる。
Claim (excerpt):
透明高分子基体(A)の一方の主面に、少なくとも、金属薄膜層(B)と、スズの含有量をインジウムに対して10〜50重量%としたインジウム・スズ酸化物からなる透明導電層(C)と、をABCなる構成で形成した透明導電性積層体。
IPC (5):
B32B 9/00
, B32B 7/02 103
, B32B 7/02 104
, G02F 1/1343
, H01B 5/14
FI (5):
B32B 9/00 A
, B32B 7/02 103
, B32B 7/02 104
, G02F 1/1343
, H01B 5/14 A
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