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J-GLOBAL ID：200903097064614060

短波長発光素子

Inventor： 宇田川 隆
Applicant, Patent owner： 昭和電工株式会社
Agent (1)： 矢口 平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996208486
Publication number (International publication number)：1998056202
Application date： Aug. 07, 1996
Publication date： Feb. 24, 1998
Summary：

【要約】【課題】 作製が容易で、発光特性の均一性に優れる短波長発光素子を得る。【解決手段】 発光層を成膜が容易な低インジウム組成比の III族窒化物化合物半導体の微小結晶体を含む III族窒化物化合物半導体からなる母相から形成する。母層は発光層の上・下に設けるいずれかの層の構成材料を主体に構成する。

Claim (excerpt)：

発光層を上下のクラッド層で挟んだAlx Ga1-x N系ダブルヘテロ構造のLEDであって、該発光層がAlx Ga1-x Nからなる母相中にAlx Gay In1-x-y Nからなる微小結晶体を混在したものであることを特徴とする短波長発光素子。