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J-GLOBAL ID:200903097077284191
ガス導入機構およびガス導入方法、ガスリーク検出方法、ならびに真空処理装置
Inventor:
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,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
高山 宏志
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000160453
Publication number (International publication number):2001338914
Application date: May. 30, 2000
Publication date: Dec. 07, 2001
Summary:
【要約】【課題】 載置台とその表面に保持された被処理体との間にガスを供給する際に短期間でガス圧力を所定値にすることができ、かつガスの無駄が少なく、小型化が可能なガス導入機構を提供すること。【解決手段】 真空に保持可能な真空チャンバー1内に設けられかつその表面に被処理体Wが載置保持される載置台2,6と、載置台2,6に保持された被処理体Wとの間にガスを導入するガス導入機構18は、載置台2,6と載置台2,6に保持された被処理体Wとの間にガスを供給するガス供給ライン19と、ガス供給ライン19の圧力を測定するマノメータ41と、マノメータ41の上流側に設けられガス供給ライン19のガス流量を調節する流量調節バルブ42と、マノメータ41により測定された圧力が設定圧力になるように流量調節バルブ42を制御する制御手段36とを具備する。
Claim (excerpt):
真空に保持可能な真空チャンバー内に設けられかつその表面に被処理体が載置保持される載置台と、載置台に保持された被処理体との間にガスを導入するガス導入機構であって、前記載置台と載置台に保持された被処理体との間にガスを供給するガス供給ラインと、前記ガス供給ラインの圧力を測定するマノメータと、前記マノメータの上流側に設けられガス供給ラインのガス流量を調節する流量調節バルブと、前記マノメータにより測定された圧力が設定圧力になるように前記流量調節バルブを制御する制御手段とを具備することを特徴とするガス導入機構。
IPC (5):
H01L 21/3065
, B01J 3/02
, C23C 16/455
, H01L 21/203
, H01L 21/205
FI (5):
B01J 3/02 M
, C23C 16/455
, H01L 21/203 S
, H01L 21/205
, H01L 21/302 B
F-Term (29):
4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030EA06
, 4K030HA15
, 4K030JA05
, 4K030KA23
, 4K030KA39
, 5F004BA08
, 5F004BA09
, 5F004BB07
, 5F004BB22
, 5F004BB24
, 5F004BB25
, 5F004BB28
, 5F004BC08
, 5F004CA04
, 5F045BB08
, 5F045EH13
, 5F045EH16
, 5F045EH20
, 5F045EJ10
, 5F045EM05
, 5F045EM07
, 5F103AA08
, 5F103BB41
, 5F103BB60
, 5F103HH03
, 5F103HH04
, 5F103RR02
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
-
基板処理装置の基板温度制御法と基板温度制御性判定法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-054116
Applicant:アネルバ株式会社
-
温度調整装置およびその方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-100943
Applicant:三菱電機株式会社
-
真空圧力制御システム
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-333689
Applicant:シーケーディ株式会社
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