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J-GLOBAL ID：200903097086999004

半導体装置

Inventor： 長沢 徳 ,  北村 富士夫 ,  五十嵐 一雅
Applicant, Patent owner： 日東電工株式会社
Agent (1)： 西藤 征彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991325185
Publication number (International publication number)：1993131486
Application date： Nov. 12, 1991
Publication date： May. 28, 1993
Summary：

【要約】【目的】 耐半田クラツク性に優れ、しかも生産性にも優れた半導体装置を提供する。【構成】 下記の(A)〜(C)成分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止する。(A)下記の一般式(1)で表されるエポキシ樹脂。【化1】(B)フエノール性水酸基を1分子中に少なくとも2個含有する硬化剤。(C)酸化ポリエチレンワツクス。

Claim (excerpt)：

下記の(A)〜(C)成分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置。(A)下記の一般式(1)で表されるエポキシ樹脂。【化1】(B)フエノール性水酸基を1分子中に少なくとも2個含有する硬化剤。(C)酸化ポリエチレンワツクス。

IPC (9)：

B29C 45/02 ,  C08G 59/20 NHQ ,  C08G 59/62 NJS ,  C08L 63/00 NJN ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  C08L 63/00 ,  C08L 23:30 ,  B29K 63:00