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J-GLOBAL ID：200903097107981194

プラズマ処理装置

Inventor： 末正 智希 ,  田原 好文 ,  吉田 幸正
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社 ,  株式会社東芝
Agent (1)： 高山 宏志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998266015
Publication number (International publication number)：2000100789
Application date： Sep. 21, 1998
Publication date： Apr. 07, 2000
Summary：

【要約】【課題】 高周波電流の通流経路の短いプラズマ処理装置を提供すること。【解決手段】 プラズマ処理装置は、内部が真空状態に保持可能なチャンバー1と、半導体ウエハWを支持する支持テーブル2と、チャンバー1外に設けられ、給電棒7を介して支持テーブル2に高周波を印加し、処理ガスのプラズマを生成する高周波電源10と、チャンバー1内に設けられ、半導体ウエハWを収容し、その中で半導体ウエハWに対してプラズマ処理を行う導電性容器15と、導電性容器15内に処理ガスを導入する処理ガス導入部20とを具備する。この装置において、支持テーブル2に印加された高周波の高周波電源10へのリターン電流が導電性容器15の内側を通って高周波電源10に戻る。

Claim (excerpt)：

内部が真空状態に保持可能なチャンバーと、被処理体を支持する支持部材と、前記チャンバー外に設けられ、給電部材を介して前記支持部材に高周波を印加し、処理ガスのプラズマを生成する高周波電源と、前記チャンバー内に設けられ、被処理体を収容し、その中で被処理体に対してプラズマ処理を行う導電性容器と、前記導電性容器内に処理ガスを導入する処理ガス導入部とを具備し、前記支持部材に印加された高周波の前記高周波電源へのリターン電流が前記導電性容器の内側を通ることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (5)：

H01L 21/3065 ,  C23C 16/505 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46

FI (5)：

H01L 21/302 B ,  C23C 16/50 B ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 A

F-Term (50)：

4K030EA06 ,  4K030FA03 ,  4K030GA12 ,  4K030KA08 ,  4K030KA10 ,  4K030KA45 ,  4K057DA02 ,  4K057DA16 ,  4K057DA20 ,  4K057DD01 ,  4K057DM02 ,  4K057DM03 ,  4K057DM06 ,  4K057DM09 ,  4K057DM13 ,  4K057DM14 ,  4K057DM33 ,  4K057DM35 ,  4K057DM37 ,  4K057DM39 ,  4K057DN01 ,  5F004AA16 ,  5F004BA04 ,  5F004BA09 ,  5F004BB11 ,  5F004BB18 ,  5F004BB25 ,  5F004BC08 ,  5F004BD03 ,  5F004BD07 ,  5F004EA30 ,  5F045AA08 ,  5F045BB15 ,  5F045DP01 ,  5F045DP02 ,  5F045DP03 ,  5F045EB02 ,  5F045EB03 ,  5F045EF05 ,  5F045EH05 ,  5F045EH12 ,  5F045EH13 ,  5F045EH19 ,  5F045EJ02 ,  5F045EJ03 ,  5F045EJ09 ,  5F045EJ10 ,  5F045EM01 ,  5F045EM02 ,  5F045EM10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• プラズマエッチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-196055   Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• 表面処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-283313   Applicant：アネルバ株式会社