固体撮像装置及びその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：松隈秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999291363
Publication number (International publication number)：2000299453
Application date： Oct. 13, 1999
Publication date： Oct. 24, 2000
Summary：

【要約】【課題】 MOS型、C-MOS型の固体撮像装置において、暗電流の低減、光電変換効率の向上を図る。【解決手段】選択酸化による素子分離層34により画素分離されたpn接合型のセンサ部113を有し、第1導電型の第1の半導体ウエル領域32と素子分離層34との間に第1導電型の第2の半導体ウエル領域351が形成され、センサ部の電荷蓄積領域36と素子分離層34との間に第2の半導体ウエル領域351が延長して形成されて成る。

Claim (excerpt)：

素子分離層により画素分離れたpn接合型のセンサ部を有し、第1導電型の第1の半導体ウエル領域と前記素子分離層との間に第1導電型の第2の半導体ウエル領域が形成され、動作時に前記センサ部の空乏層が該センサ部下の前記第1の半導体ウエル領域まで広がることを特徴とする固体撮像装置。

IPC (2)：

H01L 27/146 , H04N 5/335

FI (3)：

H01L 27/14 A , H04N 5/335 E , H04N 5/335 U

F-Term (16)：

4M118AA01 , 4M118AA05 , 4M118AB01 , 4M118BA14 , 4M118CA04 , 4M118CA18 , 4M118EA15 , 4M118FA06 , 4M118FA27 , 4M118FA28 , 5C024AA01 , 5C024FA01 , 5C024GA01 , 5C024GA27 , 5C024GA31 , 5C024JA26

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

固体撮像装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-248362 Applicant：株式会社東芝
固体撮像装置および固体撮像装置応用システム
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-203817 Applicant：株式会社東芝
特開平1-248658

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