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J-GLOBAL ID：200903097113979096

半導体レーザおよびその製造方法

Inventor： 阿部 雄次 ,  野村 良徳
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 田澤 博昭 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993095076
Publication number (International publication number)：1994291412
Application date： Mar. 31, 1993
Publication date： Oct. 18, 1994
Summary：

【要約】【目的】 半導体レーザおよびその製造方法において、良好な素子特性を均一性よくしかも再現性よく得ることができることを目的とする。【構成】 禁制帯幅が活性層2より大きい回折格子層4aは、並行なストライプ状となっており、それが光の伝搬する方向に周期的に配置され、しかもその周期の位相がそれぞれ異なるようになっている半導体レーザの構造とし、その回折格子層4aを所定周期のエッチングマスクパターンを用いて形成するようにした製造方法とすることにより、単一波長で発振させることができ、発振波長などの素子特性の均一性およびその再現性を向上でき、容易にかつまた制御性よく製造することができる。

Claim (excerpt)：

基板上に設けられている活性層と、その活性層上に設けられ、該活性層より禁制帯幅が大きい半導体層と、その半導体層上に設けられ、該半導体層と同じ導電性をもち、かつ禁制帯幅が上記活性層より大きい回折格子層とを備え、その回折格子層は光の伝搬する方向に複数に分離して配置されており、かつ、それらの複数の回折格子層が配置されている周期の位相がそれぞれ異なるように形成されていることを特徴とする半導体レーザ。