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J-GLOBAL ID：200903097128561322
炭素薄膜形成方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000062791
Publication number (International publication number)：2000256853
Application date： Mar. 10, 1993
Publication date： Sep. 19, 2000
Summary：
【要約】【課題】 平行平板型のプラズマCVD装置を用いた硬質炭素薄膜の作製方法において、一定水準以上の膜質を得るための最適条件を得る。【解決手段】 高周波電源(7) に接続された高周波給電電極(2) と接地された接地電極(3) との間でプラズマ反応を起こし、高周波給電電極(2) 側に配置された基体(4) 上に硬質炭素薄膜を形成する際において、電極間距離(9) の値dと電極(2),(3) の面積Sとの比率を概略1/1963〜1/314 とすることによって、良好な膜質を得る。プラズマ反応時において高周波給電電極に加わる自己バイアスの値を接地電位に対して、-350〜-450Vの範囲として成膜を行うことによって、良好な膜質を有する硬質炭素薄膜を得る。
Claim (excerpt)：
高周波供給手段に接続された第1の電極と、前記第1の電極と一定の間隔で配置され接地電位に保たれた第2の電極とを有するプラズマCVD装置において、前記第1の電極に前記高周波供給手段より高周波電力を供給してプラズマを発生させ、炭化水素ガスを分解して前記第1の電極に配置された基体に炭素薄膜を形成する炭素薄膜形成方法であって、動作圧力を50Pa以上とし 、前記高周波電力を2W/cm2以上として炭素薄膜を形成することを特徴とする炭素薄膜形成方法。
IPC (3)：
C23C 16/27
, C01B 31/02 101
, C23C 16/505
C23C 16/27
, C01B 31/02 101 Z
, C23C 16/505
Cited by applicant (2)
Cited by examiner (1)
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