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J-GLOBAL ID：200903097137509562

二重のセル・プレートを備えた複数ポリ・スペーサ・スタック型キャパシタ

Inventor： ヒャン・シー・チャン ,  ピエール・ファザン
Applicant, Patent owner： マイクロン・テクノロジー・インコーポレイテッド
Agent (1)： 田澤 博昭 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992066556
Publication number (International publication number)：1994029482
Application date： Feb. 07, 1992
Publication date： Feb. 04, 1994
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】高密度、大容量DRAMの記憶セルの表面積を最大化する。そのため記憶節点セル・プレート・ポストを有するマルチポリ・スペーサ式二重セルプレートのスタック・キャパシタ(MDSC)を提供する。【構成】活性領域21へ接続される埋設接点61に複数のポリポストを有し、記憶接点構造111を形成する。これが誘電体121を挾持するポリシリコン122により被覆されてMDSCを形成する。

Claim (excerpt)：

下向きに延在して記憶節点接合部において接触(61)する垂直のポリ・スペーサ(91)を囲繞する長方形箱型形状の平坦部分を含んで成る、導電性の記憶節点プレート(111)と;前記記憶節点接合部の接触(61)の個所を除いて、前記記憶節点プレート(111)に隣接して同延的に広がるように成した、セル誘電体(52,121)と;前記セル誘電体(52,121)に隣接して同延的に広がるように成した導電性の二重のセル・プレート(51,122)とを含んで成る、シリコン基板(20)上に製造される記憶キャパシタ。

IPC (2)：

H01L 27/108 ,  H01L 27/04