Pat
J-GLOBAL ID:200903097137884517
二層TABの製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993322955
Publication number (International publication number):1995183335
Application date: Dec. 22, 1993
Publication date: Jul. 21, 1995
Summary:
【要約】【目的】 下地金属層の溶解除去の工程のない二層TABの製造方法の改良法の提供を目的とする。【構成】 絶縁体フィルムの表面を親水化し、その表面にパラジウム等の触媒活性の高い活性金属微粒子を付与して基板を作成し、この基板に感光性レジストを塗布し、露光し、現像して所望の配線パターンを形成して前記活性金属微粒子を露出させ、基板をpH13以下の還元剤溶液に浸漬し、次いで無電解めっき法、要すれば引き続き電気めっき法により電気回路を形成し、次いでレジスト層を除去し、露出した活性金属微粒子を絶縁体フイルムと共にソフトエッチングして除去して二層TABをえる。【効果】 断線などの不良も激減し歩留まりの大きな向上が期待でき、また微細部分や複雑形状表面への無電解めっきの着き回りや均一析出性の高さから極めてファインな配線パターンの二層TAB作製が可能となる。
Claim (excerpt):
絶縁体フィルムの表面を親水化し、その表面にパラジウム等の触媒活性の高い活性金属微粒子を付与して基板を作成し、この基板に感光性レジストを塗布し、露光し、現像して所望の配線パターンを形成して前記活性金属微粒子を露出させ、それを核として無電解めっき法、要すれば引き続き電気めっき法により電気回路を形成し、次いでレジスト層を除去し、露出した活性金属微粒子を絶縁体フイルムと共にソフトエッチングして除去して二層TABをえる方法において、パターン形成後で、無電解めっきをする直前に、基板をpH13以下の還元剤溶液に浸漬して金属微粒子表面を活性化させることを特徴とする二層TABの製造方法。
IPC (4):
H01L 21/60 311
, C23C 18/30
, C23C 18/31
, H05K 3/18
Return to Previous Page