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J-GLOBAL ID:200903097147262840
液晶パネル用基板およびそれを用いた液晶パネル並びに投射型表示装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
鈴木 喜三郎 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997252297
Publication number (International publication number):1998148847
Application date: Sep. 17, 1997
Publication date: Jun. 02, 1998
Summary:
【要約】【課題】 従来のアクティブマトリックス型LCDにおいては、ゲート電極を形成する際にそのエッチングマスクがTFTの動作層となるポリシリコン層に対してずれると、ゲート電極とソース側コンタクトホールとの距離とドレイン側のコンタクトホールとの距離が変化するため、所望のTFT特性が得られないという欠点があった。【解決手段】 TFTの能動層となる半導体層(1)を、画素電極の側から走査線(2)を少なくとも2度横切るようなU字状あるいは蛇行状に形成し、1つのTFTが複数のチャネル領域を有するようにした。そして、複数のチャネル領域のうち少なくとも一つは、画素電極(14)に印加される電圧を供給する信号線(3)の下方に位置させるようにした。
Claim (excerpt):
基板上に画素電極がマトリックス状に配列形成されるとともに、各画素電極に対応して各々トランジスタが形成され、前記トランジスタを介して前記画素電極に電圧が印加されるように構成された液晶パネル用基板において、上記トランジスタの能動層となる半導体層と、当該トランジスタのゲート電極となるゲート線とが少なくとも2度交差するように形成されてなることを特徴とする液晶パネル用基板。
IPC (6):
G02F 1/136 500
, G02F 1/13 505
, G02F 1/1343
, H01L 29/786
, H01L 21/336
, H04N 5/74
FI (5):
G02F 1/136 500
, G02F 1/13 505
, G02F 1/1343
, H04N 5/74 B
, H01L 29/78 612 Z
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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半導体装置およびその作製方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-199644
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
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アクティブマトリクス表示装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-030115
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
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特開平1-156725
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液晶表示濃度の自動調整装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-188118
Applicant:シャープ株式会社
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特開昭62-223727
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特開昭62-240936
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特公平5-034836
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