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J-GLOBAL ID:200903097160301499

光センサ回路

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 鳥井 清
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999174476
Publication number (International publication number):2000329616
Application date: May. 18, 1999
Publication date: Nov. 30, 2000
Summary:
【要約】【目的】 光信号を検出して電気信号に変換する光電変換素子のセンサ電流をMOSトランジスタを用いて弱反転状態で対数出力特性をもって電圧信号に変換するようにした光センサ回路にあって、センサ電流に急激な変化が生じても即座にそのときの入射光の光量に応じた電圧信号が得られるようにして、入射光の光量が少ない場合でも残像を生ずることがないようにする。【構成】 光信号を検出する際にMOSトランジスタのドレイン電圧を所定時間だけ定常値よりも低く設定して、ソース側に接続された光電変換素子の接合容量に蓄積された電荷を放電させて初期化する初期設定手段を設ける。
Claim (excerpt):
光信号を検出して電気信号に変換する光電変換素子のセンサ電流をMOSトランジスタを用いて弱反転状態で対数出力特性をもって電圧信号に変換するようにした光センサ回路において、光信号を検出する際に前記MOSトランジスタのドレイン電圧を所定時間だけ定常値よりも低く設定して、ソース側に接続された光電変換素子の接合容量に蓄積された電荷を放電させて初期化する初期設定手段を設けたことを特徴とする光センサ回路。
F-Term (4):
2G065AB04 ,  2G065BA09 ,  2G065BA34 ,  2G065BC02

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