テープキャリアパッケージ及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：梅田勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996116141
Publication number (International publication number)：1997306943
Application date： May. 10, 1996
Publication date： Nov. 28, 1997
Summary：

【要約】【課題】ファインピッチ化が進んで、インナリード強度は10g以下に弱くなってくると、インナリードに外力が加わるとすぐに断線するようになり、テープキャリアパッケージの生産ができなくなっていた。【解決手段】インナリード3とバンプ4とのインナリードボンド工程の際に、バンプ4のシリコンチップ1端部側のエッジとデバイスホール8のエッジ部との距離が、バンプ4のシリコンチップ1端部側のエッジからシリコンチップ1端部までの距離及び、デバイスホール8の一の辺の長さとデバイスホール8の一の辺と平行なシリコンチップ1の一の辺の長さとの差の1/2及び、キャリアテープ2の熱膨張量とシリコンチップ1の熱膨張量との差の合計値となるように、キャリアテープ2に形成されたインナリード3表面とバンプ4に接合したインナリード3表面との間にオフセットを設けた。

Claim (excerpt)：

矩形のデバイスホールが形成されたキャリアテープ上に、上記デバイスホールに突出するようにインナリードが形成され、該インナリードと矩形の半導体チップに形成されたバンプとが接続され、該半導体チップと上記インナリードとの全体を樹脂封止したテープキャリアパッケージであって、上記キャリアテープに形成されたインナリード表面と上記バンプに接合したインナリード表面との間の樹脂封止後のオフセット量X1が以下の式X1≧(2/3)×{(L+(D-Cs)/2+A)2-(L+(D-Cs)/2)2}1/2(Aはキャリアテープの熱膨張量と半導体チップの熱膨張量との差、Dはデバイスホールサイズ、Csは半導体チップサイズ、Lは半導体チップエッジからバンプの半導体チップエッジ側のエッジまでの距離を示す。)で表されることを特徴とするテープキャリアパッケージ。

IPC (2)：

H01L 21/60 311 , H01L 21/60

FI (2)：

H01L 21/60 311 R , H01L 21/60 311 W

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開平4-218934
特開平2-082632
特開平1-191435

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