化合物半導体ウェーハの接着方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：萩野平 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995005260
Publication number (International publication number)：1995221023
Application date： Jan. 17, 1995
Publication date： Aug. 18, 1995
Summary：

【要約】【目的】 2つの半導体表面の接着界面上の転移と点欠陥を最小にでき、かつ低い電気抵抗を有するオーミック伝導を生じる化合物半導体ウェーハの接着方法を提供することを目的とする。【構成】 In0.Ga0.7 P層はTeをn形ドーパントとして利用してGaP:S基板上に格子をずらせた状態で有機金属CVDによって成長させ、化合物半導体としてグラファイト製アンビル固定具内で単軸圧力を加えて加熱し、半導体表面の表面配向と回転方向位置とを一致させ、n形In0.Ga0.7 Pをn形GaP:基板に接着し、2つの半導体の接着面の電流-電圧特性の曲線21が直線性を呈し、低オーミック伝導を達成する。

Claim (excerpt)：

少なくとも2つの半導体表面を接着して、接着界面最小電圧降下を伴う低い電気抵抗を呈し、接着される表面のうち少なくとも一方が化合物半導体を含み、2つの表面が類似したドーピング・タイプを有する、接着界面を形成する方法であって、2つの半導体表面を加熱するステップと、2つの半導体表面の表面配向を一致させるステップと、2つの半導体表面の回転方向位置を一致させるステップと、加熱し、配向し、位置合わせした表面に単軸圧力を加えるステップとを含む化合物半導体ウェーハの接着方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開平2-126625
発光ダイオードの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-320334 Applicant：シャープ株式会社
特開昭61-183915

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