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J-GLOBAL ID：200903097190754480

薄膜半導体装置およびその製造方法

Inventor： 宮坂 光敏
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992012264
Publication number (International publication number)：1993206464
Application date： Jan. 27, 1992
Publication date： Aug. 13, 1993
Summary：

【要約】【目的】 薄膜トランジスタの特性を向上させ、プロセスを低温化させる。【構成】 MIS型電界効果トランジスタを構成する薄膜半導体装置において、チャネル領域の半導体膜は、少なくとも二種類の異なった薄膜を有する部分により形成されている。したがって他の薄い部分によって十分なオン/オフ比が確保される。そして、ソース領域2Sおよびドレイン領域2Dが厚くされることで、低温での十分な活性化が可能になる。また、半導体薄膜2の厚い部分と薄い部分を共に被覆するようゲート電極が設けられ、これをマスクとしてソース領域2Sおよびドレイン領域2Dを形成するイオン注入がされるので、二種類の薄厚の半導体膜2にチャネル領域2Cが形成できる。

Claim (excerpt)：

少なくとも表面が絶縁性物質である基板の一方面上に、ドナーまたはアクセプタとなる不純物を含むソース領域及びドレイン領域と、該ソース領域と該ドレイン領域を結ぶチャンネル領域とを構成する半導体膜と、少なくとも該チャンネル領域を被覆するように形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極とを具備したMIS型電界効果トランジスタを構成する薄膜半導体装置において、該チャンネル領域の半導体膜は、少なくとも二種類の異なった膜厚を有する部分により形成されていることを特徴とする薄膜半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/784 ,  H01L 27/12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-005572
  
• 特開平2-280381
  
• 特開昭60-186063